什么是等离子蚀刻?

等离子体蚀刻是当今世界的一个重要工具，使许多我们认为理所当然的技术成为可能。例如，如果没有它，智能手机就不可能出现。等离子体蚀刻是一种在几乎任何材料中创建特征的方法，特征可以是纳米级或100微米级；这项技术可以用来制作所有这些产品。

电感耦合等离子体反应离子刻蚀（ICP-RIE）

等离子体蚀刻的领先技术之一是ICP-RIE，它在工艺性能方面具有许多优势：

采用轮廓控制并说明其优点：摩尔定律已将设备关键尺寸（CD）降低到远低于µm的水平。如果你有一个在垂直和水平方向上蚀刻相同方向的功能，那么这样一个紧密排列的设备阵列很快就会相互干扰。

ICP-RIE等离子体蚀刻可以产生完美的垂直特征，从而保持CD。由于这个原因，与湿法蚀刻相比，它被广泛使用。

采用ICP - RIE的深硅蚀刻

砷化镓VCSEL蚀刻工艺

RIE等离子体刻蚀技术已经广泛应用了几十年，但其性能与ICP-RIE不相匹配。它是一种简单的技术，在许多应用中非常有效。万博电脑网页版登录

例如，电介质掩模的等离子蚀刻通常不需要高速率，RIE提供了足够的垂直性来创建伟大的掩模。

二氧化硅(SiO_2.)离子刻蚀

PE蚀刻是等离子蚀刻解决方案中方向性最小的，因此不适合创建精细的垂直特征。它用于高度选择性的各向同性过程中，咬边是可接受的，它可以有选择地清除大面积的材料到底层。

等离子体蚀刻是一种复杂、多用途的技术，用于制作各种各样的器件。

PE腐蚀失效分析