等离子加工独特的专业知识

利用设计专为高批量制造（HVM）或研发而设计的系统，我们提供了您需要的实验室或工厂所需的硬件和流程解决方案。我们的等离子加工技术提供了广泛的蚀刻，沉积和材料生长的高级能力。在我们的图书馆中有超过8,000个食谱，我们提供对客户需求的流程开发和支持，使他们能够实现具有高晶片产量和快速，高性能加工的正确所有权成本。

我们提供的：

等离子体蚀刻和沉积
离子束蚀刻和沉积
原子层蚀刻和沉积

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等离子体蚀刻和沉积

等离子体工艺对于制造先进的微电子来说是必不可少的。我们的等离子体工艺提供了可靠性地实现所需的设备特性的可靠性。我们的多功能等离子体蚀刻和沉积工具提供：

蚀刻和沉积各种薄膜
损坏低，深度和厚度控制
在宽温度范围内的过程

等离子体蚀刻

反应离子蚀刻（rie.的）
反应离子蚀刻 - 等离子体增强（RIE-PE.的）
电感耦合等离子体蚀刻（ICP.的）
深硅蚀刻（DSIE.的）

等离子体沉积

等离子体增强化学气相沉积（PECVD.的）
电感耦合等离子体化学气相沉积（ICPCVD.的）
化学气相沉积（CVD.的）

介电金属等离子体rie蚀刻

介电金属等离子体rie蚀刻

电感耦合等离子体化学气相沉积

ICP化学气相沉积

离子束蚀刻和沉积

离子束蚀刻和离子束沉积提供薄膜质量和蚀刻控制，均具有出色的均匀性。它非常适用于多种应用，如MRAM，激光杆刻面和薄膜磁头。万博电脑网页版登录离子束技术使研究人员和大批量制造商能够生产具有光滑表面的密集，高品质的薄膜。

离子束蚀刻电子

离子束蚀刻电子

原子层蚀刻和沉积

许多先进器件需要在制造过程中需要原子刻度精度，以提供所需的精度我们提供原子层蚀刻和沉积的先进处理技术。这种能够操纵和控制物质的能力精确地实现了研发和生产的下一代半导体器件。

原子刻度蚀刻

这种技术旨在允许一次精确地除去一个原子层;使用传统蚀刻无法进度的控制水平。

原子尺沉积

该技术提供了具有每个过程循环的单个原子层的先进应用精确控制的薄膜沉积，它是自限制的，并将共形涂层涂成高纵横比结构。万博电脑网页版登录

介质层沉积电介质和金属损坏

电介质和金属的原子层沉积

25nm宽的Si沟槽蚀刻到110nm深度的α

25nm宽的Si沟槽蚀刻到110nm深度的α

所有等离子体技术

反应离子蚀刻

ICPCVD.

原子层沉积

RIE-PE.

纳米级生长

原子层蚀刻

ICP蚀刻

离子束蚀刻

原子测量处理

PECVD.

离子束沉积

问我们的专家

有关我们的等离子体过程技术的问题，或有关我们任何技术的更多信息，请联系我们的专家plasma-experts@oxinst.com。我们会非常乐意提供帮助。

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