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扩张
处理解决方案
电力设备

碳化硅和氮化镓功率器件

高效的电源开关和转换设备用于制定可能的新技术,如电动汽车和本地电力创建和分销网络。

通过使用诸如SIC.氮化镓意味着降低能量损失。狗万正网地址牛津仪器深入了解如何通过其处理解决方案制定最优化的设备,例如原子层沉积等离子体蚀刻等离子体沉积

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电源设备解决方案

  • 我们的原子层沉积(ALD)过程提供GaN / AlGaN减少阈值电压换档的优异钝化
  • atomfab.是我们在ALD技术方面的最新创新,专为GaN和RF器件制造而设计。
  • 我们的氮化镓腐蚀优化过程以降低等离子体损坏并产生光滑的蚀刻轮廓
  • 蚀刻速率可以仅为超低损坏和控制蚀刻的几nm / min,仅为10-30毫米algan.
  • SiC通过腐蚀达到高速率和优良的井壁质量
  • SiC腐蚀特征显示最佳器件性能的光滑蚀刻表面

SiC&GaN的制造过程

简化的过程流程。橙色过程显示牛津仪器技术所涵盖的解决方案。狗万正网地址

要求定价
对于SIC过程
要求定价
对于GaN过程

ATOMFAB ALD系统

Atomfab是我们在ALD系统技术方面的最新创新,为GaN功率和射频器件提供快节奏、低损伤、低CoO生产的等离子ALD处理。

  • 优异的薄膜均匀性
  • 低subsrate损害
  • 竞争团体
SiC孔蚀刻SEM图像

SiC孔蚀刻SEM图像

碳化硅孔蚀刻特写扫描电镜图像

碳化硅孔蚀刻特写扫描电镜图像

平滑和垂直的SIC特征蚀刻

平滑和垂直的SIC特征蚀刻

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