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过程解决方案
电力设备

碳化硅和氮化镓动力器件

高效的电源开关和转换设备被用来实现新技术,如电动汽车和地方电力创造和配电网络。

器件性能的进步通过使用材料,如原文如此而且氮化镓意味着更低的能量损失。狗万正网地址牛津仪器对如何通过其过程解决方案,例如,使最优化的设备有深刻的理解原子层沉积等离子体刻蚀而且等离子体沉积

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电源设备解决方案

  • 我们的原子层沉积(ALD)工艺提供极好的GaN/AlGaN钝化降低阈值电压漂移
  • Atomfab是我们在ALD技术上的最新创新,专为GaN和RF器件制造而设计。
  • 我们的氮化镓腐蚀工艺经过优化,以减少等离子体损伤,并产生光滑的蚀刻轮廓
  • 蚀刻速率可以调到只有几纳米/分钟的超低伤害和控制蚀刻只有10-30纳米沃甘
  • SiC通过腐蚀达到了高比率和优良的侧壁质量
  • SiC腐蚀特征显示光滑的蚀刻表面为最佳的设备性能

SiC和GaN的制备工艺

简化工艺流程。橙色过程表示牛津仪器公司的技术覆盖的解决方案。狗万正网地址

要求定价
SiC过程
要求定价
氮化镓过程

ATOMFAB ALD系统

Atomfab是我们在ALD系统技术方面的最新创新,为GaN电源和射频器件提供快节奏、低损伤、低CoO生产的等离子ALD处理。

  • 优秀的薄膜均匀性
  • 低subsrate损害
  • 竞争首席运营官
SiC孔蚀刻SEM图像

SiC孔蚀刻SEM图像

SiC孔蚀刻近景SEM图像

SiC孔蚀刻近景SEM图像

平滑和垂直的SiC特征蚀刻

平滑和垂直的SiC特征蚀刻

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