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15年来，我们一直与埃因霍温理工大学(TU/e)合作，并继续在原子层沉积(ALD)研究方面取得重大进展，这是在纳米制造的许多应用中使用的发展最快的技术之一。万博电脑网页版登录
我们非常高兴地介绍来自TU/e的两名博士生的研究项目，他们使用了牛津仪器公司的FlexAL ALD系统，该系统具有远程电感耦合等离子体源，能够实现高质量的沉积。狗万正网地址采用先进的等离子体ALD技术，Karsten Arts在高纵横比特征上实现了保形沉积，Marc Merkx实现了氮化钛(TiN)的高选择性生长。
下载案例研究Karsten Arts专注于等离子体增强ALD过程中离子对薄膜一致性的影响。薄膜的一致性是具有挑战性的，特别是在具有深沟槽和高纵横比的3D纳米结构中，沉积薄膜的厚度均匀性对于许多应用来说非常重要。万博电脑网页版登录
原子层沉积以其能够覆盖具有极高宽高比的3D纳米结构表面，同时实现对材料属性的精确控制而闻名。
正如Karsten所观察到的，即使在温和的等离子体条件下，离子的影响也可以是显著的，影响在3D纳米结构上获得的薄膜一致性。然而，在合适的等离子体条件和离子能量下，Karsten和研究团队使用高膜一致性和工艺再现性完成了TiO2的沉积狗万正网地址牛津仪器公司的FlexAL系统。
FlexAL ALD使研究人员能够精确控制离子能量和离子通量，这是影响氧化硅和二氧化钛薄膜生长的关键因素。
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图像1在不同的沟槽中，有几层TiO2(白色层)，SiO2(深灰色层)和一层Al2O3，这些都是使用牛津仪器的FlexAL ALD系统通过等离子体ALD生长的狗万正网地址．
1.等离子体辅助沉积TiO2原子层过程中离子对薄膜保形性和结晶度的影响。来源:10.1021 / acs.chemmater.1c00781
Marc Merkx专注于ALD过程中的区域选择性沉积，使生产减少光刻步骤，这意味着更简化的过程，并消除光刻后可能引起的对准问题。
Marc和研究团队实现了氮化钛(TiN)的高选择性生长，这是一种重要的导电材料，应用于扩散屏障和接触材料等。TiN是用狗万正网地址牛津仪器公司的FlexALALD系统，实现介电表面(SiO2, Al2O3)的高选择性，无需使用任何图案。
正如Marc所说，“FlexAL系统最大的优势之一是等离子体能力”。狗万正网地址牛津仪器公司的FlexAL在前体、工艺气体和硬件特性的选择上提供了最大的灵活性，并在一个沉积室中为低损伤等离子体ALD与热ALD结合提供远程等离子体。
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图像2显示TiN的Area-selective ALD2,使用牛津仪器的Fl狗万正网地址exAL ALD系统。
2.利用芳香族抑制剂分子进行TiN的区域选择性原子层沉积，提高金属/介质选择性。来源:10.1021 / acs.chemmater.0c02370
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