什么是2D材料？

2D材料处于薄膜尺寸的极限，厚度下降到单个原子。这些材料表现出最高级的电子和光电性质，今天研究人员试图利用电子，光电子和能源应用的下一代设备。万博电脑网页版登录

虽然石墨烯踢 - 开始勘探和应用这些超薄材料，但它创造了氮化物（HBN）和过渡金属二巯基因（MOS₂，WSE₂等等。）。虽然这些材料可以在自然界中找到并且可以从散装晶体中剥离，但采用化学气相的技术来允许未来设备轻松扩大。

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2D材料制造：石墨烯EO调制器工艺

橙色过程显示牛津仪器技术所涵盖的解决方案。狗万正网地址

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2D材料应用万博电脑网页版登录

2D材料展示了最高级的电子和光电特性，研究人员目前正在致力于开发下一代电子、光电子和柔性器件。

2D材料的各个方面都有利于应用，根据应用的不同，人们可能会将目标对准晶体管的高迁移率单层或催化应用的多个方向万博电脑网页版登录的多层，例如水分解。

2D材料解决方案

2D材料如石墨烯，MOS2或HBN可用于增强电流装置并构建新的设备架构。现在可以实现具有独特物业的FET，电池和过滤器。

化学气相沉积的：
- 石墨烯.
- hBN
- 莫斯₂
- WS₂
原子层沉积的：
- 莫斯₂
- WS₂

经过验证的过程

在牛津狗万正网地址仪器血浆技术，我们具有各种过程的优异体验，从高温CVD到低温ALD。

石墨烯.

为通过的石墨烯发出本规范化学气相沉积（CVD）流程。

负载锁定系统提供了更高的吞吐量，因为交换样品不需要冷却生长室
该工艺需要吹扫气体
将通过拉曼光谱峰值2D分析测试石墨烯层的存在
拉曼光谱法将确认1层石墨烯

数据通信用石墨烯电光调制器。

2D hBN

通过化学气相沉积（CVD）方法获得的氮化硼发出本规范。为了过程演示，B₂H_6.用作硼源和nh_3.作为铜/镍箔催化剂基底上的氮源。

温度> 900°C

2D Mos.₂以及战区导弹防御系统

我们提供PECVD系统，该系统配备有用于生长二维材料层（如MoS）的前体蒸汽输送模块₂，WS₂等等。

具有低缺陷和强光致发光的优异厚度控制

高质量MoS₂：

AFM显示确定的台阶高度和平滑均匀的薄膜
拉曼表示一个单层沉积有间隔21.1cm的特征峰 -¹分开地

PECVD石墨烯.

使用等离子体增强化学气相沉积在介电衬底上直接生长纳米晶石墨烯。

温度> 900°C

2D异质结构

原位生长2D钼二硫化物（MOS₂）石墨烯异质结构

我们提供配备有前体蒸汽输送模块的CVD / PECVD /远程等离子（ICP）CVD系统，用于生长二维层和物质的异质结构，如石墨烯，MOS₂，WS₂等等。

这是一个三步过程：

第1步：在Cu上生长石墨烯
第二步：将石墨烯从铜转移到硅上₂
第三步：种植MoS₂在SiO上转移的石墨烯₂

流程特征：

温度> 900°C
形成一层MOS₂通过拉曼光谱证实
沉积时间至关重要，确保一个完整的MOS₂形成了
MOS的温度₂石墨烯的沉积及其质量对石墨烯在MoS过程中的稳定性至关重要₂过程

垂直石墨烯.

温度600°C-900°C
负载锁定系统提供了更高的吞吐量，因为交换样品不需要冷却生长室
该工艺需要吹扫气体
成核取决于底层衬底和碳源的组合（Carbon，2013，第58卷，第59-65页）

有关更多信息，请与我们的专家联系。

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二维材料的等离子体处理解决方案

用于2D材料的原子层沉积方法，我们的柔性该系统可以被专门配置为允许生长2D过渡金属二卤化物，例如MoS₂。这柔性是生长金属氧化物种子层的理想选择，用于硫化、高k电介质沉积、表面预处理和2D材料封装。

远程等离子体和热ALD在一个灵活的工具中
使用远程等离子维持低损伤
通过配方驱动的软件接口可控，可重复的过程
在材料和前体的选择上具有最大的灵活性

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