为下一代GaN hemt提供原子层处理解决方案
inp基激光器和光电二极管的等离子体解决方案
腐蚀率高。高选择性。低损伤加工。优秀的姿态控制。独立控制衬底直流偏压。
简单经济的解决方案,用于等离子刻蚀,化学刻蚀和离子诱导刻蚀,应用包括失效分析。万博电脑网页版登录
完善的技术,广泛的各种薄膜,高质量钝化和高密度掩模。
在纳米级结构、GaN HEMT和射频器件的工程中具有独特的灵活性和能力,并具有可集群的可用选项。
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3月20 - 24日在休斯敦举行的应用电力电子大会上与我们见面。
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制造可靠的#InP基激光器的多个加工步骤是什么?