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的过程解决方案
二维材料

什么是二维材料?

二维材料处于薄膜尺寸的极限,其厚度可达单个原子。这些材料表现出最佳的电子和光电性能,今天的研究人员正试图利用下一代电子、光电子和能源应用设备。万博电脑网页版登录

石墨烯开启了这些超薄材料的探索和应用,同时也为其他一些二维材料的探索和应用创造了广阔的领域,如氮化物(hBN)和过渡金属二卤代化合物(MoS)2, WSe2等等)。虽然这些材料可以在自然界中找到,并可以从大块晶体中剥离,但采用基于化学蒸汽的技术可以方便地扩大未来设备的规模。

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二维材料制作:石墨烯EO调制器工艺

橙色过程表示牛津仪器公司的技术覆盖的解决方案。狗万正网地址

流程的请求定价

二维材料应用万博电脑网页版登录

二维材料表现出最佳的电子和光电性能,今天的研究人员正在致力于利用下一代电子器件、光电子和柔性器件。

二维材料的各个方面都有利于应用,根据应用的不同,人们可能针对具有高迁移率的单层晶体管或多个方向的多层催化应用万博电脑网页版登录,如水裂解。

2D材料解决方案

二维材料如石墨烯、MoS2或hBN可用于增强现有器件和构建新的器件结构。具有独特性能的fet、电池和过滤器现在可以实现。

经过验证的过程

在牛津狗万正网地址仪器等离子技术公司,我们在从高温CVD到低温ALD的各种工艺方面都有出色的经验。

石墨烯

本规范针对通过该方法获得的石墨烯发布化学气相沉积(CVD)过程。

  • 负载锁定系统提供了更高的吞吐量,因为不需要冷却生长室交换样品
  • 这个过程需要净化气体
  • 石墨烯层的存在将通过拉曼光谱峰二维分析进行测试
  • 1层石墨烯将通过拉曼光谱进行确认
石墨烯的拉曼峰特征
用于数据通信的石墨烯EO调制器图

用于数据通信的石墨烯EO调制器。


2 d hBN

本规范适用于通过化学气相沉积(CVD)工艺获得的氮化硼。为了过程演示的目的,B2H6硼源和NH3.在Cu/Ni箔上作为催化剂的氮源。

  • 温度900°C
2 d hBN 拉曼位移2D hBN

二维金属氧化物半导体2和战区导弹防御系统

我们提供PECVD系统,配备前驱体蒸汽输送模块,用于生长二维材料层,如mo2, WS2等。

优良的厚度控制,低缺陷和强光致发光

高质量的金属氧化物半导体2

  • AFM显示明确的台阶高度和光滑均匀的薄膜
  • 拉曼光谱表明沉积为单层,特征峰间距为21.1cm-1分开
二维MoS2的特征拉曼峰

PECVD石墨烯"

利用等离子体增强化学气相沉积在介电基底上直接生长纳米晶石墨烯。

  • 温度900°C

2 d异质结构

二维二硫化钼的原位生长2石墨烯异质结构

我们提供CVD/PECVD/远程等离子体(ICP) CVD系统,配备前体蒸汽输送模块,用于生长二维层和异质结构的材料,如石墨烯,MoS2, WS2等。

这是一个三步过程:

  • 步骤1:在铜上生长石墨烯
  • 步骤2:将石墨烯从Cu转移到SiO上2
  • 步骤3:生长的金属氧化物半导体2在SiO上转移的石墨烯2

工艺特点:

  • 温度900°C
  • 形成单层mo2拉曼光谱学证实
  • 沉积时间是保证MoS单分子层完整的关键2形成
  • MoS温度2石墨烯在MoS过程中的沉积及其质量对石墨烯的稳定性至关重要2过程
MoS<sub>2</sub>的拉曼位移 WS<sub>2</sub>的拉曼位移

垂直的石墨烯

  • 温度600°C - 900°C
  • 负载锁定系统提供了更高的吞吐量,因为不需要冷却生长室交换样品
  • 这个过程需要净化气体
  • 成核取决于底层底物和c源的组合(碳,2013,Vol. 58, 59-65)
PECVD垂直石墨烯的结构

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二维材料等离子体加工解决方案

对于二维材料的原子层沉积方法,我们的FlexAL系统可以特别配置,以允许生长二维过渡金属二卤代化合物,如MoS2.的FlexAL是生长金属氧化物种子层的理想选择,用于硫化,沉积高k介质,表面预处理和二维材料封装。

  • 远程等离子和热ALD在一个灵活的工具
  • 使用远程等离子体保持低伤害
  • 通过配方驱动的软件界面可控制、可重复的过程
  • 在材料和前体的选择上具有最大的灵活性

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FlexAL ALD系统

FlexAL ALD系统用于石墨烯以外的二维材料。

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