为下一代GaN hemt提供原子层处理解决方案
inp基激光器和光电二极管的等离子体解决方案
高蚀刻率。高选择性。低伤害处理。出色的剖面控制。独立控制衬底直流偏压。
简单经济的解决方案，用于等离子刻蚀，化学刻蚀和离子诱导刻蚀，应用包括失效分析。万博电脑网页版登录
完善的技术，广泛的各种薄膜，高质量钝化和高密度掩模。
在纳米级结构、GaN HEMT和射频器件的工程中具有独特的灵活性和能力，并具有可集群的可用选项。
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