成像甜点处的EDS

为了观察样品表面的特征，优化SEM成像通常需要用户降低加速电压和工作距离。在这些条件下进行良好的EDS分析是很困难的，因为传统的EDS设置通常需要大于10mm的工作距离和20kV的标准加速电压。

JFE-Tec的Sato博士在分析钢中的夹杂物时展示了优化SEM成像条件的重要性的一个很好的例子。在分析过程中，Sato博士在他的扫描电镜图像中发现了一个现象，即工作距离(WD)和加速电压的不同组合改变了许多可见特征的对比度。他的发现(如下图1所示)表明，不同的碳化物相被不同的对比度所照亮，这取决于扫描电镜中使用的加速电压和WD的组合。当使用较低的加速电压并结合较短的工作距离时，通常会观察到更大的对比度，他将其命名为“成像甜点”。

图1。使用加速电压0.3、1,5或15kV和WDs为2,5或20mm，获得2.25Cr-1 Mo钢试样相同区域的透镜内SE图像。doi: 10.2320 / matertrans.M2019078

当在成像最佳点处对样品进行成像时，可以使用传统的EDS探测器，但由于标准EDS探测器配置为长工作距离和高加速电压，因此在该几何结构中x射线产量大大降低。这些问题通过使用Ultim Extreme探测器来解决，该探测器专门设计用于在短工作距离内使用更小的电子陷阱，通过将传感器移近样品来最大化收集的x射线计数(图2)。使用Ultim Extreme，我们可以在成像甜点处操作。没有性能损失，由于其无窗结构，它进一步增强了对经常在夹杂物和表面颗粒中发现的轻元素的检测。