2022年3月23日

可靠GaN功率器件的新伙伴关系

领先的GaN器件制造商Rohm Semiconductor与牛津仪器等离子技术公司合作，使用ALE技术开发更环保、更可靠的GaN电狗万正网地址力电子产品

狗万正网地址牛津仪器等离子技术公司今天宣布，日本领先的汽车应用创新GaN器件制造商Rohm Semiconductor选择了牛津仪器的PlasmaPro万博电脑网页版登录^®100年眼镜蛇^®原子层蚀刻(ALE)系统。该系统将在Rohm的设施中实施，用于开发下一代高效可靠的GaN功率器件。Rohm将与牛津仪器等离子技术公司密切合作，解决GaN器狗万正网地址件制造中的挑战，这将使GaN技术彻底改变关键行业。

Rohm展示了突破性的GaN技术-他们的GaN HEMT器件可降低65%的开关损耗，具有出色的开关速度特性和散热效率。氮化镓的广泛应用以及该技术所能提供的效率优势，一直受到标准产品中电压裕度狭窄的阻碍，导致组件退化和故障。Rohm的“常关”GaN器件技术可提供3倍以上的电压裕度，以获得最终的可靠性，具有出色的散热和低功耗，适用于数据中心、基站、激光雷达技术、无人机和电动汽车应用。万博电脑网页版登录

为了应对预期的高需求，Rohm对制造平台进行了广泛的评估。狗万正网地址牛津仪器ALE技术提供平稳的低损伤蚀刻工艺，使其成为罗姆开发GaN功率器件平台的明确选择。

“我们在日本有重要的合作，为宽带隙生产客户提供原子级GaN和SiC沉积和蚀刻技术解决方案。今天的宣布是我们业务的重要一步，令人高兴的是，在对市场进行了如此广泛的审查之后，Rohm选择了我们的ALE平台用于GaN电源设备，”Plasma Technology战略业务发展总监Klaas Wisniewski评论道，他还补充道:“GaN有一些关键应用，如基站和数据中心，随着我们转向绿色经济，该技术在降低功耗方面提供了显著的好处。万博电脑网页版登录Rohm为几个重要市场创造了高质量和强大的设备，我们很高兴看到将使用我们的原子尺度处理解决方案创建的产品。”

关于牛津仪器狗万正网地址等离子技术

狗万正网地址牛津仪器等离子技术为精确、可控和可重复的微纳米结构工程提供灵活、可配置的工艺工具和前沿工艺。我们的系统为蚀刻纳米尺寸的特征，纳米层沉积和纳米结构的可控生长提供工艺解决方案。

这些解决方案基于等离子体增强沉积和刻蚀、离子束沉积和刻蚀、原子层沉积、深层硅刻蚀和物理汽相沉积等核心技术。产品范围从用于研发的紧凑独立系统，到批处理工具，再到用于高通量生产加工的集群盒式磁带到盒式磁带平台。要讨论您的流程如何从我们的解决方案中受益，请通过电子邮件联系我们的专家plasma-experts@oxinst.com或填写下面的表格。