7月17日

介绍了二维材料ALD等离子体处理系统

狗万正网地址牛津仪器公司的ALD和2D技术专家与埃因霍温理工大学的研究团队合作，实现了用于纳米器件应用的2D过渡金属二元硫族化合物的原子层沉积(ALD)。万博电脑网页版登录

为此专门介绍了牛津仪器狗万正网地址FlexALALD系统配置已经放在一起，目的是为了这些二维材料的增长。的FlexAL-2DALD系统为二维材料的生长提供了许多好处:

• H₂S等离子体和H₂S气体加量
• 负载锁和涡轮泵清洁生长和工作条件
• 生长在200毫米晶圆上
• 在同一工具中在二维材料上生长ALD介质和其他ALD层
• 高温表(RT-600°C)
• 等离子体清洗和调节室
• RF衬底偏置选项，进一步的工艺灵活性
• 使用光谱椭圆偏振仪和质谱法进行现场过程监测

原子层沉积(ALD)是一种真正的纳米技术，允许以精确控制的方式沉积几纳米的超薄薄膜。有两个定义特征的原子层沉积，自限制原子层逐层生长和高度保形涂层。这些特性为半导体工程、MEMS和其他纳米技术应用提供了许多好处。万博电脑网页版登录

所期望的是所提供的宽参数空间FlexAL-2DALD系统应该允许在比CVD炉更低的温度下生长2D过渡金属二卤属化合物。H₂S等离子体和纯H₂S气除用于ALD工艺外，还应提供直接硫化途径。第一个关于2D MoS生长的结果₂7月16日，在450°C和更低的温度下，ALD测试了材料^th2017年，埃因霍温的研究人员在丹佛举行的ALD会议上发表了这项研究。

牛津仪器等离子技术ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到高兴狗万正网地址，“波尔博士和TU/e的等离子体与材料处理(PMP)小组正在推动ALD研究的边界进入新的应用领域。2D材料是一个热门话题，利用ALD在较低的温度下生长，并将2D材料与ALD沉积和其他200毫米的加工方法相结合，提供了许多可能性的新能力。

Ageeth Bol博士评论道:“我们对牛津仪器公司的新ALD FlexAL配置的结果感到兴奋，该配置已经满足了我们的需求。”狗万正网地址波尔解释道。研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。“对于CVD工艺，通常需要超过1000摄氏度的温度。这对于半导体的应用来说通常是致命的，因为高温会增万博电脑网页版登录加原子的扩散，这使得它们更难被放置在正确的位置上。我们希望有一种在较低温度下生产高质量材料的工艺。这对于我正在研究的二维异质层尤其重要，因为在较低的温度下，层之间的原子扩散会发生得更少。”