4月22日

材料科学创新是至关重要的半导体业界致力于制造更强大、更节能的处理器和数据存储设备。氧化铪就是这样一种材料，它已经被一些新设备所采用。它是为数不多的与硅在热力学上稳定的二元氧化物之一，可以用作高k介电材料。最近，人们发现，氧化铪可以通过掺杂硅和机械“覆盖”薄膜而沉积成铁电薄膜。对于利用硅/铁电结(如超高速、低功率铁电晶体管(FeFETS))的下一代器件来说，这是一种很有前途的材料。

图片说明:这张DART PFM相位图显示了3 μm扫描尺寸下掺杂硅的氧化铪薄膜中不同极性的铁电畴。

新的应用说明演示了Asylum Research的原子力显微镜(AFMs)如何使用压电响应力显微镜(PFM)来表征铁电氧化铪薄膜。铁电材料通常表现出非常小的压电响应，这很难用传统的PFM测量。然而，Asylum Research独家的双振幅共振跟踪(DART)技术大大提高了PFM测量的灵敏度，同时避免了传统PFM中常见的测量伪影。这种能力是独一无二的庇护的研究可在所有MFP-3D、Cypher和Jupiter AFM模型上使用。

有关更多信息，请参见https://afm.oxinst.com/Hf-oxide