表征氧化物hafnium薄膜中的铁电反应

氧化物HAFNIUM（HFO₂）已经可以在半导体设备中作为高K介电材料找到。最新的发展使其可以作为铁电薄膜沉积，这对于利用铁电 - 硅连接的新一代设备来说是一种有希望的材料。但是，表征其极弱的压电响应给常规的挑战带来了挑战压电反应显微镜（PFM）。

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