个位数节点的完整结构和组成电子束表征

在纳米尺度上理解半导体器件的化学和结构对于识别致命缺陷、失效过程以及表征和评估新器件至关重要。借助最新的EDS和EBSD分析工具，牛津仪器使您能够采用半导体器件的电子束特征，超越灰度图狗万正网地址像，对关键器件组件的组成和结构进行成像，并帮助识别关键缺陷的根本原因。我们的分析解决方案有助于避免在表征过程中代价高昂的延误，能够基于可靠且易于解释的结果快速准确地做出决策。

从TEM中获得最佳性能

对于仍需要TEM进行埃分辨率成像和元素分析的样品，Ultim Max TLE是最佳解决方案:

• 优化的传感器设计，确保最大的灵敏度
• 无窗检测保证提高灵敏度
• 尖端频谱反褶积提供了精确的元素识别

为完整的图像组合数据集

为了完全理解一个系统，有时需要结合各种技术。相关是一个相关软件包优化工作与EM, EDS, EBSD，和AFM数据和图像。让基于电子显微镜的技术提供结构和成分数据，并将其与AFM的表面粗糙度数据和电测量相结合:

• 将不同的技术结合成一个结果
• 结合跨平台元数据生成独特的数据集(例如地形和电气测量的成分)
• 生成可视化数据的新方法