2017年7月14日

FlexAL-2D二维材料的ALD等离子体处理系统

狗万正网地址牛津仪器公司的ALD和2D技术专家与埃因霍温技术大学研究小组合作开发了用于纳米器件应用的2D过渡金属二卤化物的原子层沉积（ALD）的创新的FRACLE 2D。万博电脑网页版登录

这个FlexAL-2DALD系统为2D材料的增长提供了许多好处：

• 二维材料生长

  • 在CMOS兼容温度下
  • 具有精确的数字厚度控制
  • 大面积（200毫米晶圆）

• 2D材料的稳健ALD工艺

  • 自限性ALD生长
  • 莫斯_2:
    • 无氧和无碳（<2%）
    • 每周期高生长~0.1 nm/周期
    • 300℃以上的结晶材料
• 可调形态：对基面或边平面方向的控制
  • 创建高级2D设备结构
• ALD电介质和其他ALD层的生长在…上一个工具中的二维材质
• 射频基板偏置胶片属性控制选项

由FlexAL-2DALD系统允许在比CVD炉更低的温度下生长2D过渡金属二卤化物。二维MoS生长的初步结果_2.ALD在450°C及更低温度下提供的材料将在7月16日^th2017年艾因霍温研究人员在丹佛ALD会议上发表等离子体增强ALD被用于合成2D MoS层_2.具有可调节形态的薄膜，即CMOS兼容SiO上的平面内和垂直站立纳米级结构_2./硅衬底。二维平面内形貌在纳米电子学中有潜在的应用，而三维翅片结构是催化应用的理想选择，如水分解。万博电脑网页版登录

牛津仪器等离子技术公司ALD产品经理Chris Hodson对这项研究感到狗万正网地址高兴，“波尔博士和等离子体与材料处理（PMP）TU/e的团队正在将ALD研究的边界推向新的应用领域。2D材料是一个热门话题，利用ALD在较低温度下进行生长，并将2D材料与ALD沉积和其他加工方法结合在一起，在200 mm处提供了一种具有多种可能性的新能力。”

Ageeth Bol博士评论道：“我们对牛津仪器公司新的ALD FlexAL配置的结果感到兴奋，该配置已被配置为满足我们的需求。”波尔解释道。研究人员对相对较低的温度特别感兴趣。“对于CVD工艺而言，通常狗万正网地址需要超过800摄氏度的温度。这对于半导体应用来说通常是致命的，因为高温会增加原子的扩散，这使它们更难放置在正确的位置。我们希望有一种在较低温度下生产高质量材料的工艺。这对我正在研究的二维异质层尤其重要，因为在较低的温度下，层间原子的扩散会更少。”万博电脑网页版登录